B-TRAN®
B-TRAN® 之傳導損耗，相較 IGBT 與二極管之組合設計低 80% 以上，且比碳化矽 SiC 方案低 50% 以上。裝置成本及熱管理成本極具優勢。
凱美電機代理 Ideal Power 公司 B-TRAN® 品牌之具有超低 VCEON 的單片雙向 1200V 電源雙向開關。
相較於機械斷路器確實具有非常低的傳導損耗。 SSCB 具有 IGBT/SiC 高導通損耗，但 B-TRAN® 導通損耗非常低，非常適合 SSCB 應用。
B-TRAN® 的技術創新為下一代 HVDC 產品的研發帶來革命性的發展。
B-TRAN® 關鍵績效
- 超低 VCEON：對於單一晶片，VEEON = 0.56V @100A。
- 由於飽和電流，易於實現過電流保護。
- 正溫度係數可實現多個裝置的並聯。