B-TRAN®
B-TRAN® 之传导损耗，相较 IGBT 与二极管之组合设计低 80% 以上，且比碳化硅 SiC 方案低 50% 以上。装置成本及热管理成本极具优势。
凯美电机代理 Ideal Power 公司 B-TRAN® 品牌之具有超低 VCEON 的单片双向 1200V 电源双向开关。
相较于机械断路器确实具有非常低的传导损耗。 SSCB 具有 IGBT/SiC 高导通损耗，但 B-TRAN® 导通损耗非常低，非常适合 SSCB 应用。
B-TRAN® 的技术创新为下一代 HVDC 产品的研发带来革命性的发展。
B-TRAN® 关键绩效
- 超低 VCEON：对于单一芯片，VEEON = 0.56V @100A。
- 由于饱和电流，易于实现过电流保护。
- 正温度系数可实现多个装置的并联。